[e4ds 인터뷰] "고효율 인버터, IGBT 대신 SiC MOSFET 필요"

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  • Опубликовано: 11 ноя 2024
  • НаукаНаука

Комментарии • 6

  • @YunsookPark
    @YunsookPark Год назад

    ❤❤❤

  • @dongyulee2095
    @dongyulee2095 4 года назад +1

    새로운 것을 배웠습니다.
    감사합니다.

  • @sheriengr
    @sheriengr 2 года назад

    감사합니다

  • @조효석-z6l
    @조효석-z6l 4 года назад

    10khz 이하 대역에서 IGBT 에서 소음이 발생됩니다. 발생되는 이유와 소음을 없애는 방법은 무엇인지 ?

    • @별헤는밤에-d9m
      @별헤는밤에-d9m 2 года назад

      가청 주파수 대역이라 그렇고 스위칭 주파수를 높여야합니다.

  • @maplekjs
    @maplekjs 4 года назад

    자막의 us표시가 ms로 되어있네요.