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還不錯 但這只能解釋SLC的原理 對於MLC TLC QLC還需要詳加說明 因為現在大多用的是TLC跟QLC了還有為什麼擦寫次數會減少的原因加油~
對本科生來說：講得很好對其他人來說：聲音真催眠
前一段有个新闻，第一批任天堂Wii游戏机很多已经无法开机了。因为距离上一次开机时间太久，NAND失效，系统木有了🤣
NAND FLASH 理論電子保留保存的期限大約是10年到20年之間硬碟 磁性也差不多也是十多年 但我有個"120MB硬碟" 保存DOS版遊戲 超過20年了 還沒問題~~~不過...486的主機板...還不知道能不能用 也超過20年沒動過了 哀ˇˇ
@@歸虛HDD的理论保存时间可以到百年，这就是它依旧没被淘汰的优势
当年我学高级电路设计的时候如果看了这期视频没准儿我就不走软件道路了。一个班50多个人，1/3都是华人而且感觉都很牛逼，我本想抱个大腿，随便找道题一问感觉每个人都没学明白，逻辑不能自洽。老师有名有个屁用，02年就是IEEE fellow了，讲课跟坨翔一样。正好赶上刚刚来美国，研究生唯一没得A的课。课本还花了150刀。😢
清晰通透！！！
很喜歡聽這位小姊姊的解說！
希望可以補充專有名詞的英文
課本上沒教的，在這裡都能學到
讲的很好， 就是太快了。需要更多的细节
细节多了，看30小时都看不完 😂
那在flash 单元中源极和漏极有什么作用？？
读数据啊，通是0，不通是1
”和诺贝尔奖齐名的发明“……语文不太好
今年是否会有下一代Apple TV发布？现在买第七代还是等一等？
没解释擦除整块数据后又怎么记得之前的数据，如果只要改里面的几个数据的话
要擦除之前把所有東西 先讀到記憶體 要寫入再一起寫
ㄧ樣要把整個區塊 擦除 所以要先把區塊的資料讀出 放到RAM中 再RAM中覆蓋上新的資料擦除區塊 再重新把新的資料寫入區塊 現在一個區塊也不是4K了 大多是16~64KB
讲解得很好，解开了我很久以来的疑问。另外请教一下，这样的存储器能够储存数据的极限年限是多久？MOS管里的自由电子应该会随着时间逐渐漏电，时间久了会漏没了，数据也就丢失了，这个时间是多久？需要多久为数据充一下电？
我也Google过这个问题😂 据说保险起见最好是是3个月通电一次 但不同厂家 不同控制器 不同颗粒都不一样 长的可以几年不丢数据。。
這個每一塊flash都會有規格說明吧
取决于你材料和建筑结构。目前基本达到比光盘久。但和石板之类的介质无法比。而且你建个纠错机制，发现失效数据了再写入不就解决了。
理論值是10~20年 大多儲存介質 光碟片(比較好的) 傳統機械硬碟 FLASH 都須要達到這樣的要求所以基本上比較好的廠家是照著能保存超過20年的規格來製作儲存設備的比較差的那就可能10年....以上吧...更差的.....
不好意思，最後面( 7:15 )我有點看不懂請問3D FLASH的源極、漏極、閘極、浮閘分別位於哪呢？
柱子里
上下是兩個選擇用mos，中間多個是存儲單元
为什么为每行做一个小的背板，以减少最小擦除的数据量
电子跑掉，数据就没了？
过瘾
讲讲英特尔的傲腾闪存
擦寫次數多氧化層會損壞，但不明白後面3D結構空間縮小，和提高擦寫次數的相關性😅，是輪流用嗎🤣
立體結構在同面積下放置更多晶體。跟finfet原理類似
最近天比较热，大家别忘了吃冰镇西瓜啊^_^ 在中国能实现吃瓜自由，是多么的幸福鸭！你说呢？
这个患者得加大药量
这是大学里学的啊
還不錯 但這只能解釋SLC的原理 對於MLC TLC QLC還需要詳加說明 因為現在大多用的是TLC跟QLC了
還有為什麼擦寫次數會減少的原因
加油~
對本科生來說：講得很好
對其他人來說：聲音真催眠
前一段有个新闻，第一批任天堂Wii游戏机很多已经无法开机了。因为距离上一次开机时间太久，NAND失效，系统木有了🤣
NAND FLASH 理論電子保留保存的期限大約是10年到20年之間
硬碟 磁性也差不多也是十多年 但我有個"120MB硬碟" 保存DOS版遊戲 超過20年了 還沒問題~~~
不過...486的主機板...還不知道能不能用 也超過20年沒動過了 哀ˇˇ
@@歸虛HDD的理论保存时间可以到百年，这就是它依旧没被淘汰的优势
当年我学高级电路设计的时候如果看了这期视频没准儿我就不走软件道路了。一个班50多个人，1/3都是华人而且感觉都很牛逼，我本想抱个大腿，随便找道题一问感觉每个人都没学明白，逻辑不能自洽。老师有名有个屁用，02年就是IEEE fellow了，讲课跟坨翔一样。正好赶上刚刚来美国，研究生唯一没得A的课。课本还花了150刀。😢
清晰通透！！！
很喜歡聽這位小姊姊的解說！
希望可以補充專有名詞的英文
課本上沒教的，在這裡都能學到
讲的很好， 就是太快了。需要更多的细节
细节多了，看30小时都看不完 😂
那在flash 单元中源极和漏极有什么作用？？
读数据啊，通是0，不通是1
”和诺贝尔奖齐名的发明“……语文不太好
今年是否会有下一代Apple TV发布？现在买第七代还是等一等？
没解释擦除整块数据后又怎么记得之前的数据，如果只要改里面的几个数据的话
要擦除之前把所有東西 先讀到記憶體 要寫入再一起寫
ㄧ樣要把整個區塊 擦除 所以要先把區塊的資料讀出 放到RAM中 再RAM中覆蓋上新的資料
擦除區塊 再重新把新的資料寫入區塊
現在一個區塊也不是4K了 大多是16~64KB
讲解得很好，解开了我很久以来的疑问。另外请教一下，这样的存储器能够储存数据的极限年限是多久？MOS管里的自由电子应该会随着时间逐渐漏电，时间久了会漏没了，数据也就丢失了，这个时间是多久？需要多久为数据充一下电？
我也Google过这个问题😂 据说保险起见最好是是3个月通电一次 但不同厂家 不同控制器 不同颗粒都不一样 长的可以几年不丢数据。。
這個每一塊flash都會有規格說明吧
取决于你材料和建筑结构。目前基本达到比光盘久。但和石板之类的介质无法比。而且你建个纠错机制，发现失效数据了再写入不就解决了。
理論值是10~20年 大多儲存介質 光碟片(比較好的) 傳統機械硬碟 FLASH 都須要達到這樣的要求
所以基本上比較好的廠家是照著能保存超過20年的規格來製作儲存設備的
比較差的那就可能10年....以上吧...
更差的.....
不好意思，最後面( 7:15 )我有點看不懂
請問3D FLASH的源極、漏極、閘極、浮閘分別位於哪呢？
柱子里
上下是兩個選擇用mos，中間多個是存儲單元
为什么为每行做一个小的背板，以减少最小擦除的数据量
电子跑掉，数据就没了？
过瘾
讲讲英特尔的傲腾闪存
擦寫次數多氧化層會損壞，但不明白後面3D結構空間縮小，和提高擦寫次數的相關性😅，是輪流用嗎🤣
立體結構在同面積下放置更多晶體。跟finfet原理類似
最近天比较热，大家别忘了吃冰镇西瓜啊^_^ 在中国能实现吃瓜自由，是多么的幸福鸭！你说呢？
这个患者得加大药量
这是大学里学的啊