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理论是最重要的,感谢寒老师的付出。
继续支持尊重你的劳动。
耗尽型应该也是Vgs增大Id增大吧,只不过Vgs=0v时管子已经导通,一般Vgsth为负值。
你和老师说的是两个工作区域,如果是nmos的话,老师说的是Vgs为负电压的时候,电压值增大会把工艺做出来的那个本来就存在的导电沟道变薄乃至耗尽,你的是栅极上加正电压,这时耗尽型nmos的工作原理确实类似增强型。
ds之间导通电阻小产热少,g驱动电流小
简单理解就是电子开关?
你不是卖兰花的吗
理论是最重要的,感谢寒老师的付出。
继续支持尊重你的劳动。
耗尽型应该也是Vgs增大Id增大吧,只不过Vgs=0v时管子已经导通,一般Vgsth为负值。
你和老师说的是两个工作区域,如果是nmos的话,老师说的是Vgs为负电压的时候,电压值增大会把工艺做出来的那个本来就存在的导电沟道变薄乃至耗尽,你的是栅极上加正电压,这时耗尽型nmos的工作原理确实类似增强型。
ds之间导通电阻小产热少,g驱动电流小
简单理解就是电子开关?
你不是卖兰花的吗