게이트와 바디에 커패시턴스는 inversion 상태에서 사이에 채널(-)가 있기 때문에 0이고, 게이트와 소스(드레인)에 커패시턴스는 Cgcd와 Cgcs 가 존재한다고 하셨는데 그러면 insulator에 게이트 바디와 마찬가지로 채널(-)가 있는건데 Cgcd와 Cgcs 존재할 수 있을지 의문입니다. 강의 항상 잘듣고 있습니다 감사합니다
SOI에서 insulator로 가려줘서 Cdb, Csb, Ccb 를 모두 가려준다고 하셨는데, 결국 insulator로 가려주면 source, drain (M), insulator(I), Body(M) 구조가 또 만들어져서 cap이 형성되는거 아닌가요? 이 cap에 대한 영향을 없는건가요?
너무 잘 가르쳐주셔서 머리에 쏙쏙 박혀요! ㅎㅎ
게이트와 바디에 커패시턴스는 inversion 상태에서 사이에 채널(-)가 있기 때문에 0이고, 게이트와 소스(드레인)에 커패시턴스는 Cgcd와 Cgcs 가 존재한다고 하셨는데
그러면 insulator에 게이트 바디와 마찬가지로 채널(-)가 있는건데 Cgcd와 Cgcs 존재할 수 있을지 의문입니다.
강의 항상 잘듣고 있습니다 감사합니다
SOI에서 insulator로 가려줘서 Cdb, Csb, Ccb 를 모두 가려준다고 하셨는데, 결국 insulator로 가려주면 source, drain (M), insulator(I), Body(M) 구조가 또 만들어져서 cap이 형성되는거 아닌가요? 이 cap에 대한 영향을 없는건가요?
바디M 없어요ㅎ
@@docceptor195 답변 감사드립니다!