Электрик с двадцатилетним стажем просмотрел весь урок про диоды. Удивительный преподаватель, не удивлюсь если он имеет докторскую степень. Изложение материала просто шедеврально. Желаю вам крепкого здоровья и долгих лет жизни. Спасибо
Готовлюсь на 2 курсе к экзамену по электронике и совершенно не поняла объяснение принципа работы p-n перехода в книге, решила посмотреть на Ютубе, и наткнулась на ваше видео, поняла гораздо больше, чем за весь семестр дисциплины в вузе) Спасибо вам большое)
Ну, тут качественно и просто объяснили строение. Наверняка в книге объясняли процессы через ширину запрещённой зоны, которую тогда вы не очень хорошо понимали.
А вы что думали состряпали школу и у детей прибавится ума. Нетушки одной школы мало даже специализированой школы мало. Преподаватели вот фундамент знаний.. А у непутевых учителей знание гранит. Чуете разницу. Одним примерным поведением не поумнеешь..
Хотел бы я ,чтоб у меня был такой преподаватель ,как вы.Все максимально понятно ,разжовано, до мелочей,все записи на доске идеально разборчивы .Спасибо вам большое , за ваши уроки !!!
Прекрасное изложение основ физики твёрдого тела. Моя специальность 40+ лет назад. Лектор, кроме знаний, демонстрирует довольно редкий дар преподавателя. Сегодня эта тема так же далека от современных интересов, как и устройство паровой машины, например. Все умные (без тени стёба) IT ребята не смогут, я уверен, объяснить принцип работы полупроводникового диода. Равно как и принцип работы парового двигателя, скорее всего. Удачи и здоровья.
В который раз убеждаюсь, что только по методичкам невозможно ничего понять. Только после вашего видео полученная информация наконец нормально разложилась по полочкам в голове. Спасибо вам
Почему никто никогда не объясняет, как этот чел!?? Блин респект ему, я вот в 34 года вынужден выучить всю электротехнику, и те знания, которые мне давали в школе - вообще были нулевыми по сравнению с тем, как рассказывает и объясняет этот преподаватель... Жесть, только и его уроки ща смотри и вникаю в первого раза... Спасибо
потому что раньше, меня, учили как раз такие челы, 40+ лет назад почти все преподы были такими. Деньги всем всегда нужны были, но тогда денег у всех было немного и примерно поровну. Люди старались выделяться головой. Потом денег резко не стало, и многие преподы побежали в Турцию челночить. Остались учить те, кто ничего не знает, даже где находится та Турция. Ну и талант преподавателя здесь налицо, не всем такое дано. У меня таких преподавателей, к счастью моему, было минимум 6. ПитерскийПолитех конец 1970х. Физика твёрдого тела.
@@mihailgevara9930 Не идеализируй. У меня была перподавательница по ТЭЦ в 2007 году возрастом лет 70. Она ужасно объясняла, орала как умалишенная когда что-то не понимал или допускал ошибку при сборе схемы. У большинства были хреновые преподы. Такие как Павел Виктор, очень редко встречаются.
Не могу не отметить довольно важный момент. На 13:50 вы упоминаете внутренне электрическое поле, но потом про него забываете, и рисуете ВАХ с точкой перегиба в нуле. На практике, и это очень важный момент и для транзисторов и для диодов, существует так называемое напряжение открытия, которое в среднем для кремния 0.6 В, для германия 0.3 В (зависит и от основного материала и от типов примесей). До этого напряжение ток через P-N переход растёт очень неохотно, достигает микроампер, и лишь после достижения напряжения открытия линейный рост сменяется экспоненциальным. Здорово, что нашёлся человек, которые выкладывает целый добротный курс лекции по физике на RUclips.
В ВУЗе (1 курс) на лабораторных работах проходим полупроводниковые диоды. В методичке написана треть от всего того, что говорится в видео. Большое Вам спасибо!!!
Подробно и понятно. Но, по-моему, на 4 рисунке не полностью раскрыто почему же должен быть ток. Представляется, что свободные электроны должны были дефундировать в область и создать обедненную область в pn переходе.
Спасибо огромное за ваши уроки!Вы очень доступно излагаете материал. Не смотря на все ваши беды благодаря таким преподавателям как вы,я пришел к выводу что лучшие образовательные учреждения были и есть у вас в Одессе, и очень жаль что у нас в России нет таких
Блин мне 49 лет и только сейчас я правильно понял откуда появляется внутреннее поле. За счёт ионов элементов 3 и 5 группы. Раньше считал, что за счёт не рекомбенированных электронов. Спасибо.
Мой день не зря прошёл. Начинаю понимать как Ценно иметь знающего свою тему учителя. Мои учителя просто заучивали программу школьную и пересказывали нам сами не понимая предмета. К примеру :электрический ток это упорядоченое движение положительно заряженых частиц-электронов. А тут положитеьными носителями зарядов являются дырки. Мне легко даётся философия на этом и остановлюсь..Видать склад ума у меня такой Хиповый.
@@pvictor54 я прослушал лекцию про р-н переходы ивсе встало на свои места . Вы атомы назвали ионами у которых появились вакантные места неспроста. Из этого следует что истиными носителями эл.энергии являються ионы .А рекомбинация дырок и электронов есть ничто иное как следствие прохлждния тока в материи.. Большое спасибо что удели мне время .Более не смею вас отвлекать своими домыслами.
ГОСПОДИ! Ну что мешает нашему долбоправительству выделить КАНАЛ на ТВ чтобы там показывать такие уроки! Чтобы в каждой деревне или улусе дети могли УЧИТЬСЯ! АВТОРУ ОГРОМНОЕ ЧЕЛОВЕЧЕСКОЕ СПАСИБО!
Правильно ли я Вас понимаю, что свободные электроны из n-области через границу переходят в р-область только в определенном количестве? Далее эти свободные электроны присоединяются к атому акцепторной примеси, путем замещения вакантного места в его ковалентной связи, что и есть рекомбинация. Далее этот атом акцепторной примеси превращается в отрицательный ион, потому что место дырки занял лишний электрон. Я правильно понял, как происходит образование отрицательного заряда на границе на р-стороне? А как все таки происходит образование положительного заряда на границе на n-стороне? Потому что уходят свободные электроны у донорной примеси и атом донорной примеси превращается в положительный ион? Верно ли что по металлургической границе после диффундирования располагаются с обоих сторон разнозаряженные ионы,, которые и препятствуют дальнейшему диффундированию своим электрическим полем?
@@pvictor54 Но положительный ион в n-области на границе ведь создаёт электрическое поле. Почему же свободные электроны, находящиеся дальше от границы, имеющие отрицательный заряд, не присоединяются к положительному иону под действием электрического поля? Ведь они разноименно заряжены, и должны притягиваться. Или их не пускает электрическое поле отрицательных ионов со стороны р-области?
Хорошо быть учёным,много знают,понимают и электроны знают и прости господи, дырки какие то,которые что то куда то проводят,прям завидую! Думаю что надо самому поумнеть,посмотрел википедию про электрон,а там написан какой то ужас,мол эта частица предполагаемая,аж охренел и даже есть преполаемый её вес,тут я совсем обалдел,то,не знаю что,оказывается что то весит! Вот это да и перестал умничать!
(количество свободных электронов гораздо больше количества свободных дырок) т.е. ядра атомов с оставшимися электронами тоже могут свободно двигаться внутри материала. Так утверждает Автор.
Извините, еще один вопрос, на 19:05, почему расширяется обеднённый слой? Разве электроны от отрицательного полюса источника, подключенного к краю п/п р-типа не должны рекомбинировать с дырками на краю, в месте контакта? Почему электроны перемещаются к обедненному слою, тем самым расширяя его?
вот вот единственный который встречаю этот вопрос задающий . Тут и в учебниках школы этот эффект толкуется вкорне не правильно. электронам идти обратной проводимости мешает их бедность т.е они не могут из состояния в дирке прыгнуть в состояние вне дирки для этого им нужно получить энергию в виде фотонов света. а в прямом направлении они с радостью дает свою энергию у входа и пригают в дирку и дальше по накатанной под действием напряжения и в результате это энергия в виде света фотодиод или в виде тепла внутренная энергия и поэтому нужни охлаждающий конденсатори для в 200 так я понимаю.
Виктор простите за дерзость но на 12:30 нужно уточнить ,что остаются некомпенсированные ионы и как следствие возникает поле. А то по - вашему там ничего не остается вообще. Хорошо про это написано в википедии: *Как следствие, вблизи границы между областями практически не будет свободных (подвижных) основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядами[1]. Область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе, получает при этом отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получает положительный заряд, приносимый дырками (точнее, теряет уносимый электронами отрицательный заряд).*
25:20 Почему ток увеличивается, и концентрация свободных дырок и электронов не падает около металлургической границы, ведь здесь точно также электроны из n-области переходят в p-область, дырки с электронами рекомбинируют, следовательно обеднённый слой должен также увеличиваться .
19:08 - так почему после включения внешнего поля, сонаправленного со внутреним, больше электронов переходит влево? разве не должнобыть наоборот? электрическое поле направлено туда, куда направлена электрическая сила кулоновского поля, действующего на положительный заряд, а не на отрицательный. объясните пожалуйста, где я ошибаюсь
Электрическая сила при таком включении будет "тянуть" электроны вправо, препятствуя их проникновению из n-области в р-область. Та что вы не ошибаетесь.
там учитель перепутал рисунок но это все равно ничего не даст поскольку это самое неправильное объяснения проводимости пн перехода как и во всех учебниках
вот самое начало.. 4:38 как может "дырка" быть носителем заряда?? ведь это атом после якобы "выбивания электрона фотоном" становится поляризован (заряд протонов не скомпенсирован)! ну и далее про основные/не основные носители.. лишь в ходе дальнейших объяснений все проясняется))
ну там да есть ошибка. Правда ошибка в букве указанной, дырки в качестве основных носителей заряда в П полупроводнике. Ну опечатка не особо заметная, просто надо было написать не по русской букве П а на лат. P. Но думаю если прислушаться это в принципе не заметно. Сказано было правильно
Просто очень интересно все это! Хотя оно мне вообще не нужно, от слова совсем. Залипаю по интересу. Что за тяга такая хз... Учитель просто Красава! Магнит!
1) Если в кристалле кремния некоторые атомы кремния будут замещены атомами фосфора 5 валентного электрона то 4 его валентного электрона образует ковалентную связь с электронами атома кремния, а пятый электрон фосфора будет слабо связанным и будет свободным. Он будет положительным "+* ионом так как он будет отдавать электроны то есть донорной. Это полупроводник называется типа "N" 2) Если в кремний вести атом бора у которого 3 валентная электрона чтоб иметь 4 ковалентную связь с атомами кремния у него не будет хватать 4 ю электрон, не достающую электрон атом бора будет отбирать из соседнего атома кремния и при этом создать дырку, и тогда атом бора превращается в отрицательный "-" ион. Это полупроводник "P" типа На разделяющей границе двух типов полупроводников, при переходе электронов из полупроводника "N" типа у которого одна лишняя электрон в полупроводник "P" типа у которого есть дырки, занимая эти дырки называется диффузией. У разделяющей границы атомы "N" типа полупроводника при переходе из него электронов к "P" типу полупроводника занимая свободные дырки у атомов у границы диффундируя, атомы "N" типа полупроводника ПРЕВРАЩАЮТСЯ ??? положительные "+" ионы, а атомы "P" типа полупроводника в отрицательные "-" или же они ИЗ НАЧАЛЬНО БЫЛИ ??? уже положительными "+" ионами "N" типа полупроводника и отрицательными "P" тип полупроводника, извините мне тяжело было составить вопрос из-за того что я узбек по национальности и русский язык для меня считается вторым. Кто понял мой вопрос жду ответа
Школа и 1й курс: смотрю ПВ, чтобы сдавать физику 3й семестр: смотрю ПВ, чтобы сдавать физхимию 4й семестр: смотрю ПВ, чтобы сдавать аналитическую химию Что дальше?
Во-первых, у таких диодов специфическая вольт-амперная характеристика, чем-то сходная с ВАХ стабилитрона. Это позволяет использовать несимметричные диоды для защиты от перепадов напряжения в электронных устройствах (так называемые супрессоры). Во-вторых, эти диоды можно использовать для генерирования СВЧ-колебаний (лавинно-пролетные диоды).
Почему никогда и нигде не раскрывается самое главное. Нигде не показывается как движется электрон от одного конца клеммы к другому через всю структуру P-N. Для определенности рассмотрим случай, когда к p типу полупроводника приложен "+", и соответственно к n типу приложен "-" (прямая подача напряжения, т.е. когда диод открывается). Начинаем смотреть за произвольно выбранным электроном стартуя с катода (место, где клемма источника напряжения подключена к полупроводнику n типа) вот летит себе электрон в зоне проводимости (выше запрещенной зоны) казалось бы никаких преград нет, там полно свободных энергетических уровней и электрон не знает забот, вот он долетает до металлургической границы p-n перехода, что в этом случае происходит? он рекомбинирует с дыркой? и дальше летит по валентной зоне полупроводника p типа?, или продолжает лететь в зоне проводимости?. Если он рекомбинирует, то должна выделиться энергия, ибо он теряет порядка 1 эв энергии, и поскольку электронов много, то диод должен греться, верно? Или все же электрон продолжает перемещаться в зоне проводимости, но это возможно только в том случае если в анода будут стекать электроны валентной зоны, инача полупроводник получит отрицательный заряд, и ток прекратится.
@@pvictor54Прошу прощения, я думал эти лекции для студентов, ибо только в спецшколах в таком формате дают материал. Но посмотрев ваш канал я понял, что вы читаете лекции для школьников. Я далеко не школьник, но хотелось бы все таки понять, как движутся электроны? я правильно понимаю что по N типу движется электрон в зоне проводимости, затем он на границе рекомбинирует с дыркой и уже по P типу перемещается в валентной зоне? Таким образом процес рекомбинации достаточно быстрый процесс. Я думал что это долгий процесс, ибо электрону нужно исхитриться еще чтобы испустить квант света или передать энергию решетке.
Спасибо за урок все понятно кроме одной вещи. Что такое непосредственно дырки? Какая-то часть атома вещества с положительным зарядом. Протон? Или что-то другое.
Кристалл полупроводника в целом электрически нейтрален. Когда электрон покидает атом, то закрепленный в кристаллической решетке электрон - это и есть дырка. Если на место ушедшего электрона перейдет электрон из соседнего атома - дырка переместится к этому соседнему атому. Это и есть дырочный ток.
Ток в проводнике это электроны, ток в электролитах это ионы, ток в полупроводниках это электроны и дырки. А когда мы электризуем эбонитовую палочку натерев палочку об шерсть. Тут тоже учавствуют электроны и дырки? Или только электроны?
Существует три вида пробоя: 1. Тепловой. Температура перехода становится настолько высокой, что он разрушается. 2. Лавинный. Разогнанные сильным электрическим полем носители заряда приобретают настолько большую кинетическую энергию, что при столкновении с ионами кристаллической решетки разрушают ее. 3. Туннельный пробой. Он не выводит переход из строя. При этом происходит туннельный переход электронов через чрезвычайно узкий слой между электронной и дырочной областью сильно легированного полупроводникового перехода. Этот квантово-механический эффект не имеет объяснения в классической физике. (Квантовая механика его прекрасно описывает). При этом на вольт-амперной характеристике появляется область отрицательного дифференциального сопротивления (при увеличении напряжения ток не увеличивается, а уменьшается). Это используется в туннельных диодах для генерирования и усиления СВЧ электромагнитных колебаний.
Существуют ли термодиоды? Диоды с небольшой шириной запрещённой зоны ( например 0,035 электронвольт которые перикидывают электроны под действием энергии теплового движения и тем самым являются генераторами электрический энергии?
Подскажите пожалуйста 1)чем различается теоретическая и экспериментальная ВАХ? 2)чем обусловлено различие ВАХ германиевого и кремниевого диода при изменении температуры?
25:40 но ведь электрон должны двигаться и от области p к положительному полюсу элемента питания. Поток электронов не может прервать я в области p-n перехода!
А если переход несимметричный, то есть, например, концентрация дырок больше концентрации электронов, то в каком месте перехода удельное сопротивление будет больше? Заранее благодарю!
Если концентрация дырок в дырочном полупроводнике больше, чем концентрация электронов в электронном, то обедненная область в электронном полупроводнике будет шире, чем в дырочном. Думаю, что область максимального удельного сопротивления сдвинется в электронный полупроводник. Хотя, если серьёзно, это нужно просчитать более строго.
12.30 - 13.40 - "соль" всей лекции, стоит прослушать несколько раз! По-моему, введение понятие "дырка" - крайне неудачный прием, за которым теряется суть явления - недостающая ковалентная связь между атомами кремния. Как бы звучала лекция без этого слова "дырка" !? "Дырки" в р-проводнике- это потенциальная дорожка для электронов, чтобы подойти к "+"- положительному контакту батареи? "Диффузионный поток дырок" (42.20 - 42.35) при прямом включении диода находится только в р- области или в обеих р и n- частях полупроводника? Спасибо за интересно изложенный материал.
А я вот все никак не понимаю, почему под действием внешнего поля не может начаться процесс, обратный рекомбинации? Неужели валентные связи настолько сильны, что так легко образуются, но обратно распадаться не хотят? Если это так, то получается, что после снятия напряжения область обедненного слоя должна остаться такой же большой, какой она была и при напряжении?
Электрик с двадцатилетним стажем просмотрел весь урок про диоды. Удивительный преподаватель, не удивлюсь если он имеет докторскую степень. Изложение материала просто шедеврально. Желаю вам крепкого здоровья и долгих лет жизни. Спасибо
Руслан ,зачем собственно,электрику смотреть про диоды и вникать в суть,когда ваша задачи сидеть на ЛЭП с отвёрткой?
@@OnePunchman-jl9fe Сергей, зачем вам писать комментарии? Ваша задача совсем другая!
@@OnePunchman-jl9fe еба хамло малолетнее
Огромное спасибо вам за ваши лекции, от всего сердца вам желаю крепкого здоровья !!!!!!!!!
На дистанте только Вы и спасаете, удивительный учитель, великолепная подача материала, слушать - одно удовольствие!
Готовлюсь на 2 курсе к экзамену по электронике и совершенно не поняла объяснение принципа работы p-n перехода в книге, решила посмотреть на Ютубе, и наткнулась на ваше видео, поняла гораздо больше, чем за весь семестр дисциплины в вузе)
Спасибо вам большое)
Ну, тут качественно и просто объяснили строение. Наверняка в книге объясняли процессы через ширину запрещённой зоны, которую тогда вы не очень хорошо понимали.
студент иу4, разлогинься!
Большое спасибо за уроки!
Эх.таких бы учителей побольше в нашу многострадальную страну...
Побольше учителей уже не будет. Теперь вся надежда на побольше хороших учеников! На вас, ребята!
А вы что думали состряпали школу и у детей прибавится ума. Нетушки одной школы мало даже специализированой школы мало. Преподаватели вот фундамент знаний.. А у непутевых учителей знание гранит. Чуете разницу.
Одним примерным поведением не поумнеешь..
Потрясающе! Очень грамотно, подробно, да еще и с практическим применением - спасибо Вам:)
Хотел бы я ,чтоб у меня был такой преподаватель ,как вы.Все максимально понятно ,разжовано, до мелочей,все записи на доске идеально разборчивы .Спасибо вам большое , за ваши уроки !!!
огромное спасибо за уроки! учусь в физмат лицее, после Ваших уроков приходит полное понимание темы)
Спасибо большое! Вы очень хороший учитель)
Шикарно! Гораздо доступней и увлекательней, чем в школе!
Благодарю за интересные лекции! Так понятно излагать может только учитель от Бога.
Шикарные лекции. Спасибо.
Прекрасное изложение основ физики твёрдого тела. Моя специальность 40+ лет назад. Лектор, кроме знаний, демонстрирует довольно редкий дар преподавателя.
Сегодня эта тема так же далека от современных интересов, как и устройство паровой машины, например. Все умные (без тени стёба) IT ребята не смогут, я уверен, объяснить принцип работы полупроводникового диода. Равно как и принцип работы парового двигателя, скорее всего.
Удачи и здоровья.
Настоящий педагог. Очень приятно вас слушть!
Спасибо Вам огромное !! Второй курс. В методичке по практикуму ничего не понял, а БЛАГОДАРЯ ВАМ взял и ПОНЯЛ )))) Здоровья Вам и Всего НАИЛУЧШЕГО !!!!
В который раз убеждаюсь, что только по методичкам невозможно ничего понять. Только после вашего видео полученная информация наконец нормально разложилась по полочкам в голове. Спасибо вам
Огромное спасибо, за доступное и подробное объяснение материала.
Спасибо!Очень занимательно!Смотрю Ваши уроки по несколько раз!
Великолепная лекция! Огромное спасибо) нереально интересно
Красиво рисует. Ну и объясняет доходчиво. Молодец. Спасибо.
Спасибо огромное за шикарное объяснение. Сдавала зачет по электронным приборам, попался вопрос про p-n переход :( Это видео просто спасло!!!
Это лучшее что я видел по этой теме.
Я сейчас это в университете изучаю. Но почему в моей школе мы так подробно, как у вас на уроке, проводники мы не изучали. 🤔
век живи век учись)лол
Мы изучали.
у вас школа непрофильная значит была
В физико-математических изучают
Предложение составлено бредово, не читается. Тренируйся излагать мысли!
Да... Это надо уметь рассказать не только понятно, но и интересно. Спасибо огромное
Почему никто никогда не объясняет, как этот чел!?? Блин респект ему, я вот в 34 года вынужден выучить всю электротехнику, и те знания, которые мне давали в школе - вообще были нулевыми по сравнению с тем, как рассказывает и объясняет этот преподаватель... Жесть, только и его уроки ща смотри и вникаю в первого раза... Спасибо
потому что раньше, меня, учили как раз такие челы, 40+ лет назад почти все преподы были такими. Деньги всем всегда нужны были, но тогда денег у всех было немного и примерно поровну. Люди старались выделяться головой. Потом денег резко не стало, и многие преподы побежали в Турцию челночить. Остались учить те, кто ничего не знает, даже где находится та Турция.
Ну и талант преподавателя здесь налицо, не всем такое дано.
У меня таких преподавателей, к счастью моему, было минимум 6. ПитерскийПолитех конец 1970х. Физика твёрдого тела.
@@mihailgevara9930 Не идеализируй. У меня была перподавательница по ТЭЦ в 2007 году возрастом лет 70. Она ужасно объясняла, орала как умалишенная когда что-то не понимал или допускал ошибку при сборе схемы. У большинства были хреновые преподы. Такие как Павел Виктор, очень редко встречаются.
Спасибо огромное! Благодаря вам интерес к физике не угасает
Не могу не отметить довольно важный момент. На 13:50 вы упоминаете внутренне электрическое поле, но потом про него забываете, и рисуете ВАХ с точкой перегиба в нуле. На практике, и это очень важный момент и для транзисторов и для диодов, существует так называемое напряжение открытия, которое в среднем для кремния 0.6 В, для германия 0.3 В (зависит и от основного материала и от типов примесей). До этого напряжение ток через P-N переход растёт очень неохотно, достигает микроампер, и лишь после достижения напряжения открытия линейный рост сменяется экспоненциальным.
Здорово, что нашёлся человек, которые выкладывает целый добротный курс лекции по физике на RUclips.
Бог наградить ваши труды. Спасибо
Спасибо ОГРОМНОЕ, все очень понятно объясняете!!!!
Спасибо , доступно , понятно , здорово!
Шикарный почерк!
Вы самый лучший преподаватель!
Спасибо за Ваш труд! Очень помогли подготовиться к экзамену!
Если бы у меня был такой учитель физики, как Вы, я бы её обожала) спасибо большое
Типичный коммент распиздяя
@@yuriytheone что есть, то есть
В ВУЗе (1 курс) на лабораторных работах проходим полупроводниковые диоды. В методичке написана треть от всего того, что говорится в видео. Большое Вам спасибо!!!
Не знаю зачем я это смотрю в 2 часа ночи пятницы, но это затягивает )
Завидую)
Подробно и понятно. Но, по-моему, на 4 рисунке не полностью раскрыто почему же должен быть ток. Представляется, что свободные электроны должны были дефундировать в область и создать обедненную область в pn переходе.
Спасибо Павел, буду теперь в курсе про диоды!!!!!
Спасибо вам большое!!! Вы молодец!!! Отлично объясняете!!!
Спасибо огромное за ваши уроки!Вы очень доступно излагаете материал. Не смотря на все ваши беды благодаря таким преподавателям как вы,я пришел к выводу что лучшие образовательные учреждения были и есть у вас в Одессе, и очень жаль что у нас в России нет таких
Есть России множество отличных образовательных учреждений с очень хорошими преподавателями.
@@АлександрКараваев-ь9м подскажите где?:)
Блин мне 49 лет и только сейчас я правильно понял откуда появляется внутреннее поле. За счёт ионов элементов 3 и 5 группы. Раньше считал, что за счёт не рекомбенированных электронов. Спасибо.
Большое Спасибо за уроки!
Блииин... Если бы у меня был такой учитель, я бы все равно ничего не понял!Спасибо!
СПАСИБО ДРУГ !!! ВСЕ ДОСТУПНО И ПОЧТИ ПОНЯТНО ДЛЯ НОВИЧКА ПРОЦ НА 70% Я ВСЕ ПОНЯЛ ОСТАЛЬНОЕ ДОУЧУ..🤗🤗🤗 А И ЧЕРТИТЕ ВЫ СУПЕР..
Спасибо за урок все понятно и увлекательно, заметил маленькую опечатку на 4:37 заместо "p" проводника написали "n" не много сбило с толку,
Да, там действительно описка. Кстати, ее уже заметили другие зрители примерно год назад.
описка вызвана созвучием латинской буквы p и русской буквы п (в письменном варианте)
@@debbig2924 созвучие в письменном варианте
4:42 опечатка? "дырки - в n-п/п" --> "дырки - в p-п/п" - основные носители
Да, опечатка. Хотя словами сказано правильно.
Мне бы такого учителя физики в школе.
Все понятно, вы лучший!
третья ножка лазерного диода это обычно катод встроенного фотодиода. Его используют для стабилизации излучения и защиты кристалла.
Огромное Вам спасибо!
Понятно, коротко, наглядно.
Мой день не зря прошёл. Начинаю понимать как Ценно иметь знающего свою тему учителя. Мои учителя просто заучивали программу школьную и пересказывали нам сами не понимая предмета.
К примеру :электрический ток это упорядоченое движение положительно заряженых частиц-электронов.
А тут положитеьными носителями зарядов являются дырки.
Мне легко даётся философия на этом и остановлюсь..Видать склад ума у меня такой
Хиповый.
Вообще то электроны имеют отрицательный заряд.
@@pvictor54 я прослушал лекцию про р-н переходы ивсе встало на свои места .
Вы атомы назвали ионами у которых появились вакантные места неспроста.
Из этого следует что истиными носителями эл.энергии являються ионы .А рекомбинация дырок и электронов есть ничто иное как следствие прохлждния тока в материи..
Большое спасибо что удели мне время .Более не смею вас отвлекать своими домыслами.
ГОСПОДИ! Ну что мешает нашему долбоправительству выделить КАНАЛ на ТВ чтобы там показывать такие уроки! Чтобы в каждой деревне или улусе дети могли УЧИТЬСЯ!
АВТОРУ ОГРОМНОЕ ЧЕЛОВЕЧЕСКОЕ СПАСИБО!
Хорошо бы это увидеть через сверхмощный микроскоп...и видео заснять)))))) а так класс преподователю!!!!!
Павел Андреевич, а мне вот интересно. Кто придумал эту технологию?
Этот человек наверняка должен быть в список самых важных изобреталей
Электронно-дырочный переход это контакт двух полупроводников с различным типом проводимости.
Спасибо за урок
Спасибо Вам!
Третья ножка - вывод встроенного фотодиода, который используется питающей лазерный диод схемой (т.н. драйвером диода) для отслеживания и стабилизации интенсивности лазерного излучения ...
Не знал. Спасибо!
@@pvictor54 Не за что. См., например, datasheet на RLD63NPC6-00A, там приводится схема этого диода ...
Спасибо.
реально понравилось. не то что анимация работы диода времен СССР и не то что современные анимации работы от наших иностранных друзей ;)
Вы Молодец!!!
На словах 42:22 сработал древний рефлекс и я тоже подорвался со стула
аахаха полное погружение в урок
Павел Андреевич, а почему направление внутреннего тока 13:48 в pn-переходе совпадает с направлением движения электронов?
Правильно ли я Вас понимаю, что свободные электроны из n-области через границу переходят в р-область только в определенном количестве? Далее эти свободные электроны присоединяются к атому акцепторной примеси, путем замещения вакантного места в его ковалентной связи, что и есть рекомбинация. Далее этот атом акцепторной примеси превращается в отрицательный ион, потому что место дырки занял лишний электрон. Я правильно понял, как происходит образование отрицательного заряда на границе на р-стороне?
А как все таки происходит образование положительного заряда на границе на n-стороне? Потому что уходят свободные электроны у донорной примеси и атом донорной примеси превращается в положительный ион?
Верно ли что по металлургической границе после диффундирования располагаются с обоих сторон разнозаряженные ионы,, которые и препятствуют дальнейшему диффундированию своим электрическим полем?
Да, правильно.
@@pvictor54 Но положительный ион в n-области на границе ведь создаёт электрическое поле. Почему же свободные электроны, находящиеся дальше от границы, имеющие отрицательный заряд, не присоединяются к положительному иону под действием электрического поля? Ведь они разноименно заряжены, и должны притягиваться. Или их не пускает электрическое поле отрицательных ионов со стороны р-области?
13:30 отрицательный заряд акцепторов, должно быть по логике..?! 😙
Это сокровище.
Почему при прямом включении все не возникает полностью обедненная зона? Ведь эл-ны полностью диффундируют к дыркам ?
На их место приходят другие из контактов.
Хорошо быть учёным,много знают,понимают и электроны знают и прости господи, дырки какие то,которые что то куда то проводят,прям завидую! Думаю что надо самому поумнеть,посмотрел википедию про электрон,а там написан какой то ужас,мол эта частица предполагаемая,аж охренел и даже есть преполаемый её вес,тут я совсем обалдел,то,не знаю что,оказывается что то весит! Вот это да и перестал умничать!
Ай красавчек !
(количество свободных электронов гораздо больше количества свободных дырок) т.е. ядра атомов с оставшимися электронами тоже могут свободно двигаться внутри материала. Так утверждает Автор.
13:28 отрицательный заряд акцепторов, а не положительный.
Супер!
Вспомнил институт, приятно что в стране есть суперские учителя.
P.S.
Вот только непонятно что за ИДИОТЫ unlike поставили...
Dalv Volro в Украине
На лекциях по подготовке к олимпиаде, которые проводились в университете, нам не смогли так подробно объяснить
Извините, еще один вопрос, на 19:05, почему расширяется обеднённый слой? Разве электроны от отрицательного полюса источника, подключенного к краю п/п р-типа не должны рекомбинировать с дырками на краю, в месте контакта? Почему электроны перемещаются к обедненному слою, тем самым расширяя его?
вот вот единственный который встречаю этот вопрос задающий . Тут и в учебниках школы этот эффект толкуется вкорне не правильно. электронам идти обратной проводимости мешает их бедность т.е они не могут из состояния в дирке прыгнуть в состояние вне дирки для этого им нужно получить энергию в виде фотонов света. а в прямом направлении они с радостью дает свою энергию у входа и пригают в дирку и дальше по накатанной под действием напряжения и в результате это энергия в виде света фотодиод или в виде тепла внутренная энергия и поэтому нужни охлаждающий конденсатори для в 200 так я понимаю.
Виктор простите за дерзость но на 12:30 нужно уточнить ,что остаются некомпенсированные ионы и как следствие возникает поле. А то по - вашему там ничего не остается вообще. Хорошо про это написано в википедии: *Как следствие, вблизи границы между областями практически не будет свободных (подвижных) основных носителей заряда, но останутся ионы примесей с некомпенсированными зарядами[1]. Область в полупроводнике p-типа, которая примыкает к границе, получает при этом отрицательный заряд, приносимый электронами, а пограничная область в полупроводнике n-типа получает положительный заряд, приносимый дырками (точнее, теряет уносимый электронами отрицательный заряд).*
25:20 Почему ток увеличивается, и концентрация свободных дырок и электронов не падает около металлургической границы, ведь здесь точно также электроны из n-области переходят в p-область, дырки с электронами рекомбинируют, следовательно обеднённый слой должен также увеличиваться .
Спасибо!
19:08 - так почему после включения внешнего поля, сонаправленного со внутреним, больше электронов переходит влево? разве не должнобыть наоборот? электрическое поле направлено туда, куда направлена электрическая сила кулоновского поля, действующего на положительный заряд, а не на отрицательный. объясните пожалуйста, где я ошибаюсь
Электрическая сила при таком включении будет "тянуть" электроны вправо, препятствуя их проникновению из n-области в р-область. Та что вы не ошибаетесь.
там учитель перепутал рисунок но это все равно ничего не даст поскольку это самое неправильное объяснения проводимости пн перехода как и во всех учебниках
Сайгидахмед Сайгидамиров а какое правильное?)
Например если из n перехода электроны переходят в дырку Сайгидахмеда, вот самое правильное объяснение.
вот самое начало.. 4:38 как может "дырка" быть носителем заряда??
ведь это атом после якобы "выбивания электрона фотоном" становится поляризован (заряд протонов не скомпенсирован)!
ну и далее про основные/не основные носители.. лишь в ходе дальнейших объяснений все проясняется))
У вас там ошибка на шестой минуте, вы указали основным носителем в n-типе дырки, хотя основными являются электроны, а дырки основные в р- типе
ну там да есть ошибка. Правда ошибка в букве указанной, дырки в качестве основных носителей заряда в П полупроводнике. Ну опечатка не особо заметная, просто надо было написать не по русской букве П а на лат. P. Но думаю если прислушаться это в принципе не заметно. Сказано было правильно
Просто очень интересно все это! Хотя оно мне вообще не нужно, от слова совсем. Залипаю по интересу. Что за тяга такая хз...
Учитель просто Красава! Магнит!
1) Если в кристалле кремния некоторые атомы кремния будут замещены атомами фосфора 5 валентного электрона то 4 его валентного электрона образует ковалентную связь с электронами атома кремния, а пятый электрон фосфора будет слабо связанным и будет свободным.
Он будет положительным "+* ионом так как он будет отдавать электроны то есть донорной. Это полупроводник называется типа "N"
2) Если в кремний вести атом бора у которого 3 валентная электрона чтоб иметь 4 ковалентную связь с атомами кремния у него не будет хватать 4 ю электрон, не достающую электрон атом бора будет отбирать из соседнего атома кремния и при этом создать дырку, и тогда атом бора превращается в отрицательный "-" ион. Это полупроводник "P" типа
На разделяющей границе двух типов полупроводников, при переходе электронов из полупроводника "N" типа у которого одна лишняя электрон в полупроводник "P" типа у которого есть дырки, занимая эти дырки называется диффузией.
У разделяющей границы атомы "N" типа полупроводника при переходе из него электронов к "P" типу полупроводника занимая свободные дырки у атомов у границы диффундируя, атомы "N" типа полупроводника ПРЕВРАЩАЮТСЯ ??? положительные "+" ионы, а атомы "P" типа полупроводника в отрицательные "-" или же они ИЗ НАЧАЛЬНО БЫЛИ ??? уже положительными "+" ионами "N" типа полупроводника и отрицательными "P" тип полупроводника, извините мне тяжело было составить вопрос из-за того что я узбек по национальности и русский язык для меня считается вторым. Кто понял мой вопрос жду ответа
Школа и 1й курс: смотрю ПВ, чтобы сдавать физику
3й семестр: смотрю ПВ, чтобы сдавать физхимию
4й семестр: смотрю ПВ, чтобы сдавать аналитическую химию
Что дальше?
Тяжело тебе придётся ТП ведь ПВ на все случаи жизни не записал видео уроки...
Спасибо за видео. Скажите, какая цель преследуется при создании несимметричного диода, где концентрация дырок больше концентрации электронов?
Во-первых, у таких диодов специфическая вольт-амперная характеристика, чем-то сходная с ВАХ стабилитрона. Это позволяет использовать несимметричные диоды для защиты от перепадов напряжения в электронных устройствах (так называемые супрессоры). Во-вторых, эти диоды можно использовать для генерирования СВЧ-колебаний (лавинно-пролетные диоды).
А если вместо полупроводника n-типа вставить просто металл? Получиться что-то похожее на p-n переход? Спасибо.
Может. Такие устройства с переходом металл-полупроводник называют диодами Шоттки.
в лазер диода третя ножка специальний фотодиод еще внутри корпуса вместе с лазерним.
Почему никогда и нигде не раскрывается самое главное. Нигде не показывается как движется электрон от одного конца клеммы к другому через всю структуру P-N. Для определенности рассмотрим случай, когда к p типу полупроводника приложен "+", и соответственно к n типу приложен "-" (прямая подача напряжения, т.е. когда диод открывается). Начинаем смотреть за произвольно выбранным электроном стартуя с катода (место, где клемма источника напряжения подключена к полупроводнику n типа) вот летит себе электрон в зоне проводимости (выше запрещенной зоны) казалось бы никаких преград нет, там полно свободных энергетических уровней и электрон не знает забот, вот он долетает до металлургической границы p-n перехода, что в этом случае происходит? он рекомбинирует с дыркой? и дальше летит по валентной зоне полупроводника p типа?, или продолжает лететь в зоне проводимости?. Если он рекомбинирует, то должна выделиться энергия, ибо он теряет порядка 1 эв энергии, и поскольку электронов много, то диод должен греться, верно? Или все же электрон продолжает перемещаться в зоне проводимости, но это возможно только в том случае если в анода будут стекать электроны валентной зоны, инача полупроводник получит отрицательный заряд, и ток прекратится.
Школьникам и лицеистам неведомо, что такое энергетические зоны. А диод действительно греется при прямом включении.
@@pvictor54Прошу прощения, я думал эти лекции для студентов, ибо только в спецшколах в таком формате дают материал. Но посмотрев ваш канал я понял, что вы читаете лекции для школьников.
Я далеко не школьник, но хотелось бы все таки понять, как движутся электроны? я правильно понимаю что по N типу движется электрон в зоне проводимости, затем он на границе рекомбинирует с дыркой и уже по P типу перемещается в валентной зоне? Таким образом процес рекомбинации достаточно быстрый процесс. Я думал что это долгий процесс, ибо электрону нужно исхитриться еще чтобы испустить квант света или передать энергию решетке.
Спасибо за урок все понятно кроме одной вещи. Что такое непосредственно дырки? Какая-то часть атома вещества с положительным зарядом. Протон? Или что-то другое.
Кристалл полупроводника в целом электрически нейтрален. Когда электрон покидает атом, то закрепленный в кристаллической решетке электрон - это и есть дырка. Если на место ушедшего электрона перейдет электрон из соседнего атома - дырка переместится к этому соседнему атому. Это и есть дырочный ток.
Павел ВИКТОР аа все понял спасибо!
Ток в проводнике это электроны, ток в электролитах это ионы, ток в полупроводниках это электроны и дырки. А когда мы электризуем эбонитовую палочку натерев палочку об шерсть. Тут тоже учавствуют электроны и дырки? Или только электроны?
Честно, момент объяснения образования запирающего слоя ни разу не понял ни в одном объяснении
Спасибо
А что происходит при пробое диода?
Выходит ли он из строя?
Какова физика процесса?
Существует три вида пробоя:
1. Тепловой. Температура перехода становится настолько высокой, что он разрушается.
2. Лавинный. Разогнанные сильным электрическим полем носители заряда приобретают настолько большую кинетическую энергию, что при столкновении с ионами кристаллической решетки разрушают ее.
3. Туннельный пробой. Он не выводит переход из строя. При этом происходит туннельный переход электронов через чрезвычайно узкий слой между электронной и дырочной областью сильно легированного полупроводникового перехода. Этот квантово-механический эффект не имеет объяснения в классической физике. (Квантовая механика его прекрасно описывает). При этом на вольт-амперной характеристике появляется область отрицательного дифференциального сопротивления (при увеличении напряжения ток не увеличивается, а уменьшается). Это используется в туннельных диодах для генерирования и усиления СВЧ электромагнитных колебаний.
тоже возник такой вопрос, с туннельным пробоем интересно, надо будет изучить
Существуют ли термодиоды? Диоды с небольшой шириной запрещённой зоны ( например 0,035 электронвольт которые перикидывают электроны под действием энергии теплового движения и тем самым являются генераторами электрический энергии?
Подскажите пожалуйста
1)чем различается теоретическая и экспериментальная ВАХ?
2)чем обусловлено различие ВАХ германиевого и кремниевого диода при изменении температуры?
25:40 но ведь электрон должны двигаться и от области p к положительному полюсу элемента питания. Поток электронов не может прервать я в области p-n перехода!
Поток электронов не прерывается. Вспомним, что дырочный ток - это тоже поток электронов, но только по валентным связям.
А если переход несимметричный, то есть, например, концентрация дырок больше концентрации электронов, то в каком месте перехода удельное сопротивление будет больше? Заранее благодарю!
Если концентрация дырок в дырочном полупроводнике больше, чем концентрация электронов в электронном, то обедненная область в электронном полупроводнике будет шире, чем в дырочном. Думаю, что область максимального удельного сопротивления сдвинется в электронный полупроводник. Хотя, если серьёзно, это нужно просчитать более строго.
12.30 - 13.40 - "соль" всей лекции, стоит прослушать несколько раз! По-моему, введение понятие "дырка" - крайне неудачный прием, за которым теряется суть явления - недостающая ковалентная связь между атомами кремния. Как бы звучала лекция без этого слова "дырка" !? "Дырки" в р-проводнике- это потенциальная дорожка для электронов, чтобы подойти к "+"- положительному контакту батареи? "Диффузионный поток дырок" (42.20 - 42.35) при прямом включении диода находится только в р- области или в обеих р и n- частях полупроводника? Спасибо за интересно изложенный материал.
13:28 Положительный заряд акцепторов?
*отрицательный заряд акцепторов. Оговорка.
@@pvictor54 Спасибо, теперь понятно.)
Оговорки, опечатки.
А я вот все никак не понимаю, почему под действием внешнего поля не может начаться процесс, обратный рекомбинации? Неужели валентные связи настолько сильны, что так легко образуются, но обратно распадаться не хотят? Если это так, то получается, что после снятия напряжения область обедненного слоя должна остаться такой же большой, какой она была и при напряжении?
Нарисую везде нули, чтобы Андрей мне не делал замечания)))))