【需要激増！】誰でもわかる、パワー半導体の基本

[@semiconductor-industry]

ご意見やご質問、ご要望等ありましたら、コメント欄にお願いします。

[@MRCHINSHIKEN]

文系に非常に優しい説明です、いつもありがとうございます

[@古谷昇-l4y]

大変参考になりました。パワー半導体の生産にドイツが力を注いでいることを初めて知りました。今後パワー半導体技術の進捗にも興味を持ち続けたいと思います。８６歳の男より。

[@tshiro2046]

とても解り易かったです。
パワー半導体って、なんとなくの名前のイメージから、ひたすら強い電流を出すための半導体だと思っていました。「EV向けにSiCの需要が～」みたいなニュースを聞きかじるのでなおのことです。
実際は制御と変換が役割なんですね。
プレイヤーが限られていますが、再編などせず日本勢には切磋琢磨で頑張ってもらいたいです。

[@チャ太郎]

余談の方が大切なことですね😮。

[@tubeismybirthplace]

パワー半導体製造装置やウエハ(Si、GaN、SiC等個別に)のメーカー別シェアについても知りたい。

[@にしぱ谷垣]

もしよろしければ、半導体の検査に使用されるプローブピンについての解説していただけたら嬉しいです。

[@semiconductor-industry]

コメントありがとうございます。
非常にピンポイントな内容ですが、今後プローブカード等を取り扱っている企業を取り上げる際などに話せればと思います。

[@にしぱ谷垣]

@@semiconductor-industry
楽しみにしております。またいつもわかりやすい動画ありがとうございます。大変勉強になります。

[@DaikoWaiWai-nt1jm]

新電元工業について気になります！

[@semiconductor-industry]

コメントありがとうございます。
今後取り上げていきたいと思います。
よろしくお願いします。

[@negi2magi572]

パワー半導体の代表的な破壊モードや不具合モードに関して、ご存知でしたら教えてください。
例:製造過程の素子欠陥では○○不良が多い等

[@semiconductor-industry]

コメントありがとうございます。
一般論になってしまいますが、ウエハの結晶欠陥起因でしたらDS間(IGBTならCE間)の耐圧不良が多く、製造工程のパーティクル起因でしたら形状不良、リーク不良、外観不良になるといったところでしょうか。

[@negi2magi572]

@@semiconductor-industry ご返信ありがとうございます。勉強になります。結晶欠陥は期待される次世代のSiCほどSiと比べて多くなるのでしょうか。製造過程でのパーティクル低減も生産現場で日々苦戦してそうな印象です。。。今後も気になる点があればコメントさせていただきます。

[@semiconductor-industry]

SiCはSiに比べるとまだまだ結晶欠陥が多いのが現実です。
またウエハ製造方法も昇華法といった手法を使いますので、Siよりも生産性が低くコストが高くなる要因のひとつです。この辺りも今後取り上げていけたらと思います。

[@negi2magi572]

@@semiconductor-industry かなり専門性の高い分野かもしれませんが、不良解析等を取り扱っていただけると嬉しいです!! 今後も動画拝見させていただきます!!

[@semiconductor-industry]

不良解析も半導体には欠かせない技術ですので、解析用装置等を中心に今後取り上げていければと思います。
ご要望ありがとうございます。
引き続きよろしくお願いします。

[@あかあか-k9u]

バラバラに投資していては知見集約やスケールメリットの発揮ができないように思えるのですが、現在の路線でよいのでしょうか？

[@semiconductor-industry]

コメントありがとうございます。
仰る通りですが、現状は各社各様で進んでいます。
経産省は恐らく何らか考えていると思いますので、そのうちに国としての動きがあるのかもしれませんね。

[@純子-m8b]

パワー半導体を知りたい人に、AC.DCの話しは不要です。具体的な設計が知りたいですよ。