1. Low Rds Fet설명 : 드레인과 소스간의 저항을 낮춘 FET로써 발열을 최소화한 FET 즉fet수명을 늘린것. 용량감퇴를 줄인것 21:50 2. 대체품 사용시 체크사항 : n. p채널 타입 확인 Vds(드레인 소스간 전압). Id값(드레인 허용 전류값) 확인 25:00 2.5 Rds값의 의미에 대해 상세히 설명해 준다. 21:25 23.05.18(목) 3. low Rds 타입 디솔더링 방법 : 몸체도ㅗ 열풍기 불어줘야 함. 33:20 4. 실장상태 양부판별법: 1차단접지(대콘(-) 또는 접지단자에 멀티미터 (-)봉 대고 FET 게이트에 (+)봉댔을때 전압이 1V 이상 측정되면 양품이라는 판별법 33:40 5. 이 판별법의 원리 : FET의 Gate와 P형반도체가 일종의 커패시터를 구성하기 때문이다. . 커패시터를 보면 커패시터도 다이오드 모드에 놓고 (-)리드에 멀티미터(-)봉대고 커패시터 (+)리드에 멀티미터 (+)봉 대면 전압이 올라가다가 전압이 측정 안돼는 상태(OL)로 나온다. 6. 이 이유는 커패시터가 직류를 흘려보내면 충전이 되면서 전압이 높아지다가 만충이 되면 전류가 더이상 못흐르고 절연상태가 되기 때문이다. 7. 따라서 FET의 Gate에 멀티미터(+)봉을 대는 것은 커패시터의 (+)리드에 멀티미터(+)프로브를 대는 것과 같고 멀티미터의 (-)프로브를 접지 또는 대콘(-)리드에 대는 것은 커패시터의 (-)리드에 멀티미터 (-)봉을 대는 것과 같다. 8. 같은점은 이건 커패시터의 전압을 측정 또는 쇼트 여부를 판단하는 것과 같은 원리이므로 FET에서도 멀티미터의 (-)봉을 접지 또는 대콘(-)에다가 대도 되지만 FET의 Source에다 대도 된다 왜냐면 같은 (-)이기 때문이다. 차이점은 Drain에다 되도 된다는거다. 왜냐면 같은 N형반도체이기 때문이다. 9. 그리고 전압이 1.4~5V 이렇게 나오는 이유는 P형반도체와 N형반도체의 전위장벽을 극복하는데 드는 전압은 0.6v정도 밖에 안되는데 여기다가 Gate와 P형반도체 사이의 유전체가 정렬하는데 드는 전압이 나머지 전압을 차지하기 때문이다. 10. 같은 이유로 반도체사이의 전위장벽이 무너지기전에 유전체가 정렬이 돼버리면 아예 절연상태가 되어 전압이 안나올 수도 있다. 이것도 정상적인 현상이다. 11. FET는 탈거상태에서의 양부판별법을 실장상태에서 쓸수 없다. 12. 왜냐면 Drain과 Source가 커패시터의 (+)리드와 (-)에 각각 연결돼 있기 때문이다. 그래서 탈거상태에서는 Drain에 (+)봉, Source에 (-)봉을 갖다대면 Gate에 (+)를 접촉했을 때 도통이 돼야 되는데 실장상태에선 전압이 안나오기(OL) 때문이다. 13. TO220타입 FET : 2차단 쇼트키 다이오드와 1차단 Fet가 있음 33:50 14. FET 정상인데도 쇼트값으로 나오는 경우있다. 주변 회로가 Short이면 그럴 수 있다. 45:15 그때는 성급히 때지 말고 쇼트를 쇼트킬러로 확인해 본다. 22.04.13(수)
감사합니다. 강의를 보면서 많은걸 배워 갑니다. 늘 건강하세요. 오늘도 수고 하셨습니다.
1년지나서 기억이 가물가물해서 또 듣습니다. 정말 강의내용 좋습니다. 추천 두번누르고싶은데 한번밖에 안되는게 정말 아쉽습니다.
진공관에서 시작하여 FET 등등등 전공을 하고 학습한지 근 50년이나 됐는데,
오늘 처음 선생님 강의를 들으며 많은 것을 알게 됐습니다.
구독과 전체알람,좋아요 완료했구요,
앞으로도 열심히 경청하겠습니다.
감사합니다.
설명을 자세히 쏙쏙 들어오게 하시네요
선생님은 저의 힘 항상 많이 배우고갑니다
항상 감사하게 보고 있습니다. 좋은 내용 감사드립니다.
1. Low Rds Fet설명 : 드레인과 소스간의 저항을 낮춘 FET로써 발열을 최소화한 FET 즉fet수명을 늘린것. 용량감퇴를 줄인것 21:50
2. 대체품 사용시 체크사항 : n. p채널 타입 확인 Vds(드레인 소스간 전압). Id값(드레인 허용 전류값) 확인 25:00
2.5 Rds값의 의미에 대해 상세히 설명해 준다. 21:25 23.05.18(목)
3. low Rds 타입 디솔더링 방법 : 몸체도ㅗ 열풍기 불어줘야 함. 33:20
4. 실장상태 양부판별법: 1차단접지(대콘(-) 또는 접지단자에 멀티미터 (-)봉 대고 FET 게이트에 (+)봉댔을때
전압이 1V 이상 측정되면 양품이라는 판별법 33:40
5. 이 판별법의 원리 : FET의 Gate와 P형반도체가 일종의 커패시터를 구성하기 때문이다.
. 커패시터를 보면 커패시터도 다이오드 모드에 놓고 (-)리드에 멀티미터(-)봉대고
커패시터 (+)리드에 멀티미터 (+)봉 대면 전압이 올라가다가 전압이 측정 안돼는 상태(OL)로 나온다.
6. 이 이유는 커패시터가 직류를 흘려보내면 충전이 되면서 전압이 높아지다가 만충이 되면 전류가 더이상 못흐르고
절연상태가 되기 때문이다.
7. 따라서 FET의 Gate에 멀티미터(+)봉을 대는 것은 커패시터의 (+)리드에 멀티미터(+)프로브를 대는 것과 같고
멀티미터의 (-)프로브를 접지 또는 대콘(-)리드에 대는 것은 커패시터의 (-)리드에 멀티미터 (-)봉을 대는 것과
같다.
8. 같은점은 이건 커패시터의 전압을 측정 또는 쇼트 여부를 판단하는 것과 같은 원리이므로 FET에서도 멀티미터의
(-)봉을 접지 또는 대콘(-)에다가 대도 되지만 FET의 Source에다 대도 된다 왜냐면 같은 (-)이기 때문이다.
차이점은 Drain에다 되도 된다는거다. 왜냐면 같은 N형반도체이기 때문이다.
9. 그리고 전압이 1.4~5V 이렇게 나오는 이유는 P형반도체와 N형반도체의 전위장벽을 극복하는데 드는
전압은 0.6v정도 밖에 안되는데 여기다가 Gate와 P형반도체 사이의 유전체가 정렬하는데 드는 전압이
나머지 전압을 차지하기 때문이다.
10. 같은 이유로 반도체사이의 전위장벽이 무너지기전에 유전체가 정렬이 돼버리면 아예 절연상태가 되어
전압이 안나올 수도 있다. 이것도 정상적인 현상이다.
11. FET는 탈거상태에서의 양부판별법을 실장상태에서 쓸수 없다.
12. 왜냐면 Drain과 Source가 커패시터의 (+)리드와 (-)에 각각 연결돼 있기 때문이다.
그래서 탈거상태에서는 Drain에 (+)봉, Source에 (-)봉을 갖다대면 Gate에 (+)를 접촉했을 때 도통이 돼야 되는데
실장상태에선 전압이 안나오기(OL) 때문이다.
13. TO220타입 FET : 2차단 쇼트키 다이오드와 1차단 Fet가 있음 33:50
14. FET 정상인데도 쇼트값으로 나오는 경우있다. 주변 회로가 Short이면 그럴 수 있다. 45:15
그때는 성급히 때지 말고 쇼트를 쇼트킬러로 확인해 본다. 22.04.13(수)
지금 다시보니 npn FET에서 전류방향을 잘못 쓰셨네요. 혹시나 헤깔리실 분 있을까봐 적어놓습니다.
npn 타입에서 전류는 Drain(+) 에서 Source(-)로 흐릅니다. 즉 Drain쪽이 (+)이고 Source쪽을 (-)에 연결합니다. 13:13
24.01.06(토)
정말 큰도움 되었습니다 하나 하나 배워갑니다
오늘도 좋은 내용 감사합니다.
좋은 강의 감사드립니다.
다시봐도 좋습니다
감사합니다
감사합니다.
잘 봤습니다,, 지침식이 편할때도 있고 액정이나 FND가 편할때도 있고 그 때 그 때 달라요 ㅎ
감사합니다!!!!
완전 좋앙요 ♡♡
아두이노 쌤
Gg 신공 잘 배웠습니다
영상감사합니다
구독 추천.fet 숏트 원인은 조치 안해도 되는지요?
좋은 강의 큰 도움 입니다. 2차측 IC와 대톤 마이너스를 그라운드로 하여 측정하면 퓨즈가 끊어 지나요? 그리고 대톤이 합선되어 떼내고 삽입된 홀간 통전이 되는데 정상인가요? FET 소스위 드래인간 통전이 되는데 불양이겠지요? 의견주시면 감사하겠습니다. ^^.
재미있게 보고 많이 배웁니다. 열풍기 500 도짜리 중고로 어느 싸이트에서 살수 있나요?
내컴퓨터님 쇼키트 다이오드 중에 파워보드 출력 부분... 발 3개 짜리 쇼키트D 이거 측정 어떻게 하나요?? 2개 짜리는 알겠는데...3개 짜리는
어디에도 잘 나와 있지 않네요...
안녕하세요...혹 측정값이 1V이하로 나오면요? 0 .076V로 측정되서요>>>>
감사드립니다