무지한 질문일지 모르겠지만.. Logic 에서는 3나노, 2나노까지 이야기를 하는데, 메모리는 10나노 한계라고 하시는 이유가 있을까요? 아니면, 메모리에도 10나노 이하, 즉 예를들어 3나노가 기술적으로는 가능하지만, 그렇게 못(?)가는 이유가 누차 방송 도중에 말씀하신 것 처럼 가격 경쟁력 때문인가요?
D램에 들어가는 캐패시터가 더 이상 작아지면 메모리를 더 자주 리프레쉬 해야하고, 소비 전력 개선과 메모리 밀도 향상의 이득보단 오히려 소비 전력이 늘어나기 때문이라고 들었는데요, 그렇다면 현재 축전지 기반의 D램은 더이상의 용량 향상은 기대하기 어려울까요?? 항상 있었던 얘기가 이제 이정도 용량이면 메모리는 충분하다 였는데.. 지금까진 계속 기술이 발전하면서 용량이 증대되어 왔지만, 이제 진짜 한계에 봉착한 것은 아닐지 궁금합니다
@@ph9304 메모리에서도 선폭 줄이는 건 힘들꺼에요. 미세공정이 칼이 두꺼워서 못 그리는 것 뿐만 아니라 선이 짧아지면 누설전류라든지 악영향이 생기기 때문에 힘든건데, 로직 반도체 보다는 메모리 쪽에 더 치명적일꺼에요. 그래서 GAA 관련 이야기가 나왔을 때 저는 로직 반도체 보다는 메모리 쪽과 관련해서 더 기대를 하고 있습니다. TSMC 보다 삼성에서 GAA등을 먼저 도입하려고 한 것에는 이런 이유도 있을 것이고요. EUV 장비의 경우 로직 반도체에서는 7나노 이하에서 필요하지만, 삼성에서는 14나노 메모리에 사용했다고 홍보하기도 했죠.
면적당 직접도는 계속 개선되어야 후발주자들이 못 따라오는데, 이게 이리 어려우면 결국 후발주자들이 따라올수 밖에 없는 구조네요. 미국이 그나마 2X나노 이하 디램 선단 공정에 들어가는 반도체 장비를 중국이 구입할수 없게 규제해준 덕택에 삼성과 SK하이닉스가 시간을 좀 벌었는데, 앞으로 이렇게 계속 어려운 경쟁이 지속된다면 경쟁 때문에 삼성전자 메모리 사업부 혹은 SK하이닉스가 결국 못 버티고 부분적이나마 합병하는 수순으로 가지 않을까요. 만약 SK하이닉스와 마이크론이 미는 3D디램이 성공하고, 삼전의 4F 스퀘어가 실패한다면, 삼전은 디램 사업부를 분사해서 SK하이닉스에게 넘겨주는 일도 있지 않을까 싶습니다. 반면에 전 인텔의 중국 공장 때문에 곤란한 상황에 놓인 SK하이닉스는 낸드 사업부를 분사해서 삼전에게 넘겨주는 일도 있을 수 있겠죠. 이래나 저래나 둘 다 한국 경제의 기둥인데 참 암울하네요.
무지한 질문일지 모르겠지만..
Logic 에서는 3나노, 2나노까지 이야기를 하는데, 메모리는 10나노 한계라고 하시는 이유가 있을까요?
아니면, 메모리에도 10나노 이하, 즉 예를들어 3나노가 기술적으로는 가능하지만, 그렇게 못(?)가는 이유가 누차 방송 도중에 말씀하신 것 처럼 가격 경쟁력 때문인가요?
D램에 들어가는 캐패시터가 더 이상 작아지면 메모리를 더 자주 리프레쉬 해야하고, 소비 전력 개선과 메모리 밀도 향상의 이득보단 오히려 소비 전력이 늘어나기 때문이라고 들었는데요, 그렇다면 현재 축전지 기반의 D램은 더이상의 용량 향상은 기대하기 어려울까요?? 항상 있었던 얘기가 이제 이정도 용량이면 메모리는 충분하다 였는데.. 지금까진 계속 기술이 발전하면서 용량이 증대되어 왔지만, 이제 진짜 한계에 봉착한 것은 아닐지 궁금합니다
D램에서 선폭줄이는게 훨 힘들어요
그리고 지금 나노는 마케팅 용어임
@@user-sn9nr3f72a 아... 그럼 DRAM에서는 actual physical dimension 을 반영한 수치라는 거군요..?
감사합니다.
@@swallowlikeyoshi 기술적 이유도 있군요...
감사합니다..!
@@ph9304 메모리에서도 선폭 줄이는 건 힘들꺼에요. 미세공정이 칼이 두꺼워서 못 그리는 것 뿐만 아니라 선이 짧아지면 누설전류라든지 악영향이 생기기 때문에 힘든건데, 로직 반도체 보다는 메모리 쪽에 더 치명적일꺼에요.
그래서 GAA 관련 이야기가 나왔을 때 저는 로직 반도체 보다는 메모리 쪽과 관련해서 더 기대를 하고 있습니다.
TSMC 보다 삼성에서 GAA등을 먼저 도입하려고 한 것에는 이런 이유도 있을 것이고요.
EUV 장비의 경우 로직 반도체에서는 7나노 이하에서 필요하지만, 삼성에서는 14나노 메모리에 사용했다고 홍보하기도 했죠.
전직 dram 6F 개발자 관점에서 보면 내용이 거의 없네요. 장단점을 구체적으로비교했으면 좋았을 것 같습니다
면적당 직접도는 계속 개선되어야 후발주자들이 못 따라오는데, 이게 이리 어려우면 결국 후발주자들이 따라올수 밖에 없는 구조네요. 미국이 그나마 2X나노 이하 디램 선단 공정에 들어가는 반도체 장비를 중국이 구입할수 없게 규제해준 덕택에 삼성과 SK하이닉스가 시간을 좀 벌었는데, 앞으로 이렇게 계속 어려운 경쟁이 지속된다면 경쟁 때문에 삼성전자 메모리 사업부 혹은 SK하이닉스가 결국 못 버티고 부분적이나마 합병하는 수순으로 가지 않을까요. 만약 SK하이닉스와 마이크론이 미는 3D디램이 성공하고, 삼전의 4F 스퀘어가 실패한다면, 삼전은 디램 사업부를 분사해서 SK하이닉스에게 넘겨주는 일도 있지 않을까 싶습니다. 반면에 전 인텔의 중국 공장 때문에 곤란한 상황에 놓인 SK하이닉스는 낸드 사업부를 분사해서 삼전에게 넘겨주는 일도 있을 수 있겠죠. 이래나 저래나 둘 다 한국 경제의 기둥인데 참 암울하네요.
소설
이건 말도 안되는 시나리오임..
삼성 계속 기술개발 실패하고 있음 1b 노드 포기했고 1c 한다는데 그게 되나 1b 도 못했는데 1a 노드도 7% 밖에 못씀 마이크론은 47% 인데 마이크론은ㅍ1b 도 일년전에 개발했음 마이크론이 지금 기술 1위임
1등~