안녕하십니까! 교수님 ! 타대학생입니다. 다양한 서적을 찾아봐도 이해가 안되는것이 있어 염치 불구하고 질문드립니다! CMOS의 스위칭 속도를 높이기 위해서(빠른 DC주파수에도 반적특성이 명확하도록)는 CMOS의 어떤 구조적 ,공정상의 파라미터를 변화시켜야하는지가 궁금합니다. 당장 머릿속에 생각나는 것은 도핑농도를 올려서 많은 케리어를 통해 스위칭속도를 올리는 것 외에는 떠오르지 않습니다. 다른 서적을 찾아보니 Ion특성을 높여(전류를 증가시켜) 회로의 동작속도를 높인다는데 여기서 회로의 동작속도라 함은 (높은 전류 값으로 CMOS뒷단의 캐페시터의 전압을 한번에 많이씩 바꿔주기위해)이기에 제가 원하는 의도인 CMOS개별소자의 스위칭속도와는 다른 동작특성인 것같아 전류를 높이는 것은 해당하지 않는것같습니다. 최대한 질문의도를 파악하기 쉽게 서술했지만 많이 부족하고 두서없이 서술한점 정말 죄송합니다. 요약하자면 cmos의 DC frequney특성을 높이기 위해 어떤 소자의 파라미터를 바꿔야하는지가 궁금합니다! 단순히 소자의 스켕일링을 줄이고,소스와 드레인의 도핑농도외에 중요한 파라미터가 있을까요???혹여 이러한 저의 궁금증을 해결하기 위해 교수님의 유튜브에 올려주신 어떤 강의로 해소할수 있을지 알려주신다면 정말 감사하겠습니다! 새해복 많이 받으십시오!
안녕하십니까! 교수님 ! 타대학생입니다. 다양한 서적을 찾아봐도 이해가 안되는것이 있어 염치 불구하고 질문드립니다! CMOS의 스위칭 속도를 높이기 위해서(빠른 DC주파수에도 반적특성이 명확하도록)는 CMOS의 어떤 구조적 ,공정상의 파라미터를 변화시켜야하는지가 궁금합니다. 당장 머릿속에 생각나는 것은 도핑농도를 올려서 많은 케리어를 통해 스위칭속도를 올리는 것 외에는 떠오르지 않습니다. 다른 서적을 찾아보니 Ion특성을 높여(전류를 증가시켜) 회로의 동작속도를 높인다는데 여기서 회로의 동작속도라 함은 (높은 전류 값으로 CMOS뒷단의 캐페시터의 전압을 한번에 많이씩 바꿔주기위해)이기에 제가 원하는 의도인 CMOS개별소자의 스위칭속도와는 다른 동작특성인 것같아 전류를 높이는 것은 해당하지 않는것같습니다. 최대한 질문의도를 파악하기 쉽게 서술했지만 많이 부족하고 두서없이 서술한점 정말 죄송합니다. 요약하자면 cmos의 DC frequney특성을 높이기 위해 어떤 소자의 파라미터를 바꿔야하는지가 궁금합니다! 단순히 소자의 스켕일링을 줄이고,소스와 드레인의 도핑농도외에 중요한 파라미터가 있을까요???혹여 이러한 저의 궁금증을 해결하기 위해 교수님의 유튜브에 올려주신 어떤 강의로 해소할수 있을지 알려주신다면 정말 감사하겠습니다! 새해복 많이 받으십시오!
속도를 증가시키기 위해서는 지연인자를 고려한 개선이 필요한데 이 지연인자가 매우 복잡하여 무어라 하나를 꼬집어 개선방법을 말할 수가 없습니다.
@@김명식 이해했습니다 감사합니다.!!! 지연인자에 대해서 더 살펴 보도록 하겠습니다. 교수님! 답글 달아주셔서 진심으로 감사드립니다. 건강하십시오!