다이오드에 특정 한방향에 대한 전압을 인가했을때만 전류가 흐를 수 있는 이유가 반대로 전압을 가할경우 에너지 준위가 높은 곳으로 갈 수 없기 때문인가요?? 정성 방향의 전압은 에너지준위가 높은 곳에서 낮은곳으로 이동할 수 있는 조건을 만족하기 때문이고요 제 생각이 맞는지 궁금합니다 ~~
1. 접합층이 일종의 건전지가 되는구나. 그래서 전자와 정공의 교환에 한계가 있구나. 교환하다가 어느순간에 멈춘다. 왜냐면 더이상 전자가 움직이지 못할정도로 접합층에 생긴 건전지 전압이 높아졌기 때문이다. 전자가 (+)극쪽으로 오는건 되도 (-)극쪽으로 가는 건 안된다 이제는 밀어내니까. 전자가 (+)극쪽에 있다보니 (-) 쪽으로 못가는구나. 14:01 2. P형 반도체는 붕소가 전자가 실리콘보다 하나적은 3개였는데 주변에서 채워지니까 (-)가 돼서 음이온이되고 N형 반도체는 인이 전자가 실리콘보다 하나많은 5개였는데 짝이 없어서 떨어져 나가니까 전자가 부족한 (+)이온이 되는거구나. 5:30 3. 그래서 P형반도체쪽에 (-)이온, N형반도체쪽 접합면에 (+)이온층이 생겨서 0.7V짜리 건전지가 생긴거다. 방향이 분명히 있다. P형반도체쪽은 (-)극, N형반도체쪽은 (+)극. 4. 여기서 헤깔리지 말아야 할 것은 N형 반도체쪽에 풍부한것은 전자이고, P형반도체쪽에 풍부한 것은 정공이란 것이다. 5. 이것은 나중에 Mosfet에서도 중요한 얘기이니 잘 기억한다. Mosfet이 단극성 트랜지스터(전자또는 정공만 흐른다) 이해하는데 중요하다.
1. 마지막으로 다시 정리한다. 공핍층은 건전지라기보단 자석이란 표현이 맞다. 교수님이 여기서 표현하신대로 자기장이 여기 존재하기 때문이다. 2. 건전지는 공핍층 바깥에 생긴다. 왜냐면 n형 반도체에는 전자가 풍부하고 p형반도체에는 정공이 풍부하기 때문이다. 3. 그렇게 해서 생긴 전위차가 0.7V라는거다. 4. 즉 0.7V를 극복하면 도통이 되는거다.
접합층의 상태는 긴장상태의 평형이다. 일종의 건전지가 된 접합층의 전압이 충분히 높아져서 더이상 전자의 움직임을 허용하지 않는 상태이다. 15:53 이 상태의 전압이 0.7V라는 거다. 16:58 즉 실리콘 내부에 자체적으로 건전지가 생성된거다. 이걸 전위장벽이라 한다.
![[ 전자회로 왕초보자를 위한] 전자회로 기초 강의 6 [로케이에듀] - 다이오드 작동원리 (순방향/역방향 전압), 전류-전압 특성](http://i.ytimg.com/vi/2SxGxMK2S68/mqdefault.jpg)
![[ 전자회로 왕초보자를 위한] 전자회로 기초 강의 6 [로케이에듀] - 다이오드 작동원리 (순방향/역방향 전압), 전류-전압 특성](/img/tr.png)
![[ 전자회로 왕초보자를 위한] 전자회로 기초 강의 9 [로케이에듀] - 다이오드 모델 이해하기](http://i.ytimg.com/vi/3kTCSGG3ihs/mqdefault.jpg)
와.... 등록금 500만원 이분한테 드리고 쉅 듣고싶네요 완벽한 강의 감사합니다. 전자공학,전기공학과분들 이거 무조건 보세요...
오랜 기간의 휴학을 마치고 다시 공부하는 전공생입니다. 막막했던 상황에서 단비 같은 강의를 만났네요. 설명을 너무 잘하십니다. 감사드립니다.
복학전에 복습하는 느낌으로 영상보고있는데 정말 도움이 많이 되네요 감사합니다
와 진짜 대박이다.........고1때 물리 처음 배울때부터 궁금했던거 지금 싹 해결됐어요 저희학교 교수님으로 와주세요ㅜ 그저 빛..
과찬이십니다..🥺
와우 설명 잘하시네여 감사합니다!
감사합니다.^^
와... 정말 쉽게 이해되네요. 감사합니다.
다행이에요! 제가 더 감사드립니다
감사합니다.
제가 감사드려야지요^^
진짜 쩌네요
감사합니다. ^^
다이오드에 특정 한방향에 대한 전압을 인가했을때만 전류가 흐를 수 있는 이유가 반대로 전압을 가할경우 에너지 준위가 높은 곳으로 갈 수 없기 때문인가요??
정성 방향의 전압은 에너지준위가 높은 곳에서 낮은곳으로 이동할 수 있는 조건을 만족하기 때문이고요 제 생각이 맞는지 궁금합니다 ~~
명강입니다
강의 듣고서 로케이에듀에서 반도체물리전자를 수강하고 싶은데 강의 하나당 1만원-2만원 결코 만만한 가격이 아니네요ㅠ
혹시 할인받아서 들을 수 있는 방법이나 제도같은게 따로 있나요?
패키지로 들으시면 됩니다~
1. 접합층이 일종의 건전지가 되는구나. 그래서 전자와 정공의 교환에 한계가 있구나. 교환하다가 어느순간에 멈춘다. 왜냐면 더이상 전자가 움직이지 못할정도로 접합층에 생긴 건전지 전압이 높아졌기 때문이다. 전자가 (+)극쪽으로 오는건 되도 (-)극쪽으로 가는 건 안된다 이제는 밀어내니까. 전자가 (+)극쪽에 있다보니 (-) 쪽으로 못가는구나. 14:01
2. P형 반도체는 붕소가 전자가 실리콘보다 하나적은 3개였는데
주변에서 채워지니까 (-)가 돼서 음이온이되고
N형 반도체는 인이 전자가 실리콘보다 하나많은 5개였는데
짝이 없어서 떨어져 나가니까 전자가 부족한 (+)이온이 되는거구나. 5:30
3. 그래서 P형반도체쪽에 (-)이온, N형반도체쪽 접합면에 (+)이온층이
생겨서 0.7V짜리 건전지가 생긴거다. 방향이 분명히 있다.
P형반도체쪽은 (-)극, N형반도체쪽은 (+)극.
4. 여기서 헤깔리지 말아야 할 것은 N형 반도체쪽에 풍부한것은
전자이고, P형반도체쪽에 풍부한 것은 정공이란 것이다.
5. 이것은 나중에 Mosfet에서도 중요한 얘기이니 잘 기억한다.
Mosfet이 단극성 트랜지스터(전자또는 정공만 흐른다) 이해하는데
중요하다.
1. 마지막으로 다시 정리한다. 공핍층은 건전지라기보단 자석이란 표현이 맞다. 교수님이 여기서 표현하신대로 자기장이 여기 존재하기 때문이다.
2. 건전지는 공핍층 바깥에 생긴다. 왜냐면 n형 반도체에는 전자가 풍부하고 p형반도체에는 정공이 풍부하기 때문이다.
3. 그렇게 해서 생긴 전위차가 0.7V라는거다.
4. 즉 0.7V를 극복하면 도통이 되는거다.
접합층의 상태는 긴장상태의 평형이다. 일종의 건전지가 된 접합층의 전압이 충분히 높아져서 더이상 전자의 움직임을 허용하지 않는 상태이다. 15:53 이 상태의 전압이 0.7V라는 거다. 16:58 즉 실리콘 내부에 자체적으로 건전지가 생성된거다. 이걸 전위장벽이라 한다.
강의력이 우리대학 교수 뺨따기를 때려버립니다. 교수님들도 연구에만 몰두하지 말고 강의력좀 신경써줬으면 ㅠ
9:20 정공이 왜 n 형 쪽으로 가는것처럼 보이는지 이해가 안갑니다...
지금은 이해하셨겠지만 P, N형에 있는 음이온, 양이온은 고정돼서 못움직이지만 정공, 자유전자는 움직일 수 있는 캐리어 역할을 하기 때문에 서로 접합면으로 이끌리게 되는거죠 정공이나 자유전자나 둘 다 접합면으로 모이는 것처럼 됩니다.
감사합니다