Видео

감사합니다

Ch.13은 시판되는 특정 상품(모델)들에 대한 활용이 주된 내용인 것 같아서 다루지 않았습니다. 다만, 비교기(comparator)는 다루는 게 좋을 듯하여, Ch11_8 영상의 중간 이후에 넣었습니다.

다음은 개인적인 의견입니다. Boylestad 책은 주로 BJT를 활용한 회로에 집중하고 있고, Sedra 책은 FET에 집중해 있습니다. 제목에서도 유추할 수 있는데요, sedra책은 "MICRO"electronics 입니다. Razavi 책도 "MICRO"electronics 입니다. 즉, 이 책들은 집적회로를 염두에 둔 것으로 생각하면 좋지 않을까 생각됩니다.

죄송하지만, 여러가지 사정상 따로 올려놓지는 않고 있습니다. ㅠㅠ

감사합니다.

감사합니다.

감사합니다.

감사합니다.

감사합니다.

감사합니다.

그렇게 생각하면 될 것 같습니다.

적어주신 수식에서 첫 항의 분모에는 Vo가 없어야 합니다. (단위가 맞지 않습니다). 영상의 그 부분에서의 해석 방법은 Vo에 1V를 걸었을 때에 대한 것입니다. 일반적인 해석의 경우에는 Io= Vo*gm + Vo/rd+ Vo/Rs = Vo*[ (1/(1/gm))+(1/rd)+(1/Rs) ] 가 되므로,Output Impedance(Zo=Vo/Io)는 같은 결과가 됩니다.

@@kang-bakpark6076 감사합니다! ~!~!~!!!!

감사합니다

같은 값을 갖는 전압원이 아무리 많이 병렬 연결 되어도 전압 값은 동일합니다. (저항하고 헷갈리신게 아닐지...)

V_AB 라는 표기는 VB에 비해서 VA의 전위가 얼마나 높은가를 의미합니다. 그래서 V_AB=VA-VB 입니다. VA는 V_{A.GND}의 약자라고 봐도 될 것 같습니다. 즉, Ground에 비해서 node A의 전위가 얼마나 높은지를 의미합니다. 따라서 V_CB=VC-VB이며 C쪽이 +, B쪽이 -로 정의됨을 의미합니다.

아닙니다. 예를들어 Va라고 하면 node 'a'와 GND 사이의 전위차입니다. (Ch4_1 영상의 12:20 부분 참고). 언급된 회로는 기존 Emitter Bias 회로에서 Vcc=0 & Rc=0 인 경우와 유사합니다. Base쪽에 KVL을 돌려보면 Vcc(=0V) = RB * IB + VB 가 됨을 알 수 있습니다. 따라서 VB = - RB * IB 입니다. VC는 collector가 GND와 연결되어 있으므로 간단히 VC=0 입니다. VE = RE * IE + VEE 가 됩니다.

@@kang-bakpark6076 collector 에서 emitter로 전류가 흘러야 하니까 Vcc = 0V로 VEE = -20V 이를 바탕으로 교수님께서 설명해주신 방법인 RB를 꺽어올려 다시 KVL를 해보니 VB = RB * IB --> 수정: VB = - RB * IB 이해되었습니다. 좋은강의 제공해주셔서 감사합니다.

아닙니다. 원래는 그 자리에 0.7V짜리 V_BE가 있어야 하지만, 일반적으로 VCC가 그보다 훨씬 크고, 이건 근사해석이기 때문에 생략한 것입니다. 보다 정확한 해석은 Ch4_4 영상의 4:00쯤부터를 참고해주시면 좋을 것 같습니다.

@@kang-bakpark6076 Ch_4_4에 가보니까 정확한 해석에선 I_B 의 분자에 VCC - V_BE가 있지만 말씀대로 근사해석이기때문에 VCC - V_BE 나 VCC 나 비슷하니까 그림상으로는 생략하였다 가 이해됐습니다. 감사합니다!!!!!!!!!!!!!

??

질문의 의도를 정확하게 이해하기 어려운데요, CB는 입력 신호를 emitter로 넣고, CE는 base로 넣습니다.

기본적으로 이러한 접근 방식들은 모두 "등가회로 모델" 입니다. "0.7V DC전원으로 모델링"하는 것은 "DC 신호에 대한 등가회로" 입니다. "rd 저항으로 모델링"하는 것은 "AC 신호에 대한 등가회로" 입니다. "전자회로1 Ch1_4"라는 영상이 도움이 되지 않을까 생각됩니다. 여기서 r_av가 rd에 해당합니다. ruclips.net/video/rBTU8j7MYZk/видео.html

라자비 교재와 chapter 제목만 보면, 대략 ch.13정도까지 비슷하지만, 각 chapter마다 조금씩(혹은 많이) 다른 부분들이 있습니다. 예를들어 diode에 해당하는 chapter에서도 라자비 교재는 동작이 처음 시작되는 과도응답에도 관심 주는 비율이 높다고 볼 수 있지 않을까 생각됩니다. 전반적으로 라자비 교재는, microelectronics이기 때문에, FET에 맞춰져있는 점이 다릅니다.

감사합니다~

라자비 책은 주로 MOSFET인데 반해 이 책은 BJT 라서, 다르다고 보는게 더 적절하지 않을까 생각됩니다.

제 생각엔 Ch5_1 영상의 20:10 이후 부분이 도움이 될 것 같습니다. ruclips.net/video/VB8Bff0ngBg/видео.htmlsi=dMRzPhmbxCSeJ7oR&t=1214

참고로, Capacitor의 임피던스 공식은 1/JWC 입니다. w가 주파수라서 dc에서는 w=0 ---> 임피던스 무한대 / w 가 ac 값이고 적당히 크면 ---> 임피던스는 0에 수렴하게 됩니다.

알려주신대로 Vc=Vs는 설명한 값과 조금 다른 값이 나오게 될 것 같습니다. 피드백 감사합니다~

diode가 켜지기(ON) 위해서는 화살표 방향으로 전류가 흐를 수 있는 여건이어야 합니다. 그러려면 기호의 세모쪽이 막대쪽 전압보다 높을 수 있는 여건이어야 합니다. 따라서 2:43에 주어진 회로에서는 diode의 아래쪽이 위쪽보다 전압이 높을 수 있는 여건이어야 합니다.

어딘가 다른 곳에 전위에 대한 기준점이 있다고 가정하고, 그 곳에 대한 '+'단자의 전위를 V+, '-'단자의 전위를 V- 라고 하겠습니다. 이 때, 예를들어, 주어진 부호에서 Vi=+1V라면, V-보다 V+가 +1V 높은 것을 의미하므로, V+ = V- + (+1V)가 됩니다. 마찬가지로, 만일 Vi= -1V라면 V+ = V- + (-1V)가 됩니다. 즉, V- = V+ - (-1V) = V+ + 1V = V+ + (+1V)가 됩니다. 따라서, Vi= -1V인 경우는, V+에 비해서 V-가 +1V 높은 것과 같음을 알 수 있습니다. 표현력이 부족하여 글로만 설명하려니 어렵네요. ㅠㅠ

@@kang-bakpark6076 감사합니다! 설명은 이해됐지만 아직까지 엄청 와닿지는 않네요 ㅎㅎ;

@@nameno6452 표현력이 부족하여 미안합니다. 부연설명 해보자면, node a의 전압을 Va, node b의 전압을 Vb라고 합시다. 이 때, 예를들어 Va가 Vb보다 1V 높다면 Va=Vb+1이 됩니다. Va=Vb (+:높다) (1V만큼) 입니다. 이 수식은 Va=Vb-(-1)과도 같으므로 Va는 Vb보다 (-1V) "낮다"고 표현할 수도 있습니다. 마찬가지로, Vb=Va-1=Va-(+1) 로 쓸 수도 있으므로 Vb는 Va보다 (+1V) "낮다"고 표현할 수도 있으며, Vb=Va+(-1)로도 쓸 수 있으므로 Vb는 Va보다 (-1V) "높다"고 표현할 수도 있습니다. 모두 같은 의미가 됩니다. 이해에 도움이 되면 좋겠습니다.

@@kang-bakpark6076 감사합니다 덕분에 좀 더 이해가 잘 되는 것 같습니다!

Similarity Transformation의 한 가지 예입니다.

감사합니다~

1. 물론 가능합니다. 책에는 부분적으로 단순화시켜가면서 전체 전달함수를 구하는 내용이 소개되어 있습니다. 2. 각각의 node variable에 대한 수식을 기술하고, vector-matrix form을 이용하여 풀 수도 있습니다. (13:11초에서 보여준 접근 방식처럼)

1. 제 영상에서는 대부분의 경우에 (β+1)를 β로 놓고 설명하고 있습니다. β 값이 크기 때문입니다. 2. BJT의 ac 등가모델의 ri에 해당하는 부분은 Fig.5.14를 보시면 좋을 것 같습니다. 또는 "전자회로1 Ch5_3"영상의 5:45초 부분을 보시면 도움이 되리라 생각됩니다. ruclips.net/video/CGDN1hQLs2Y/видео.htmlsi=cJNqbIS6B8icClNQ

아마도 r_dc 값을 1로 설정하고 풀으셨던게 아닐까 싶습니다. x=3+sin(t)에 대한 r_dc 값은, 파란색 graph에서 x=3일 때의 값인 (3,4)가 원점과 만드는 기울기이므로 (4/3)가 됩니다.

​@@kang-bakpark6076 아 제가 잘못 생각했네요. 감사합니다!

기준이 어디인가가 중요합니다. 앞의 예제라 함은 Figure 2.29을 얘기하시는 것 같은데요, 그 예제에서 제일 위 그림인 Fig.2.29(a)와 제일 아래 그림인 Fig.2.29(c)를 비교해보면 T1, Theta1이 그대로인 것을 알 수 있습니다. 즉, 이 예제에서는 input(T1)쪽에 나타나는 영향을 알고 싶기 때문에 N2쪽에 있는 impedance들을 N1쪽으로 넘긴 것이므로 (N1/N2)^2이 곱해졌습니다. 반면에 Ex.2.21에서는 Theta2/T1을 구하는게 목적인데요, 이를 위해서 N1쪽에 있는 impedance들을 N2쪽으로 넘겨서 구하는 방법을 선택했기 때문에 중간 과정에, 위에서 두 번째 그림에 보이듯이, (N2/N1)^2이 곱해졌습니다. 최종목표가 Theta2/T1을 구하는 것이므로, 꼭 위와 같이 해야만 하는 것은 아니며, N2쪽에 있는 impedance들을 N1쪽으로 넘겨서 구해도 됩니다. 그러면 중간 과정에 (N1/N2)^2이 곱해진 impedance들이 나타나겠지만, theta1을 theta2로 변환하여 적용하면 최종 전달함수는 동일한 것을 얻을 수 있습니다.

다이오드 양단에 걸어주는 전압과, 다이오드에 흐르는 전류에 대한 보다 실제와 가까운 graph는 7:14초 즈음에 나옵니다. Ch1_1 영상의 7:36초 부분의 내용을 보는 것도 도움이 될 것 같습니다.

SW에 비하면 불편하지만, 불가능한 것은 아닙니다. (가변저항 등을 이용하여) 저항값을 변화시키면 됩니다.

감사합니다~

감사합니다

re는 각 TR에 대한 것으로, 잘 보면 분모가 I_E가 아니라 I_E1 임을 알 수 있습니다. 각각의 TR에는 I_E의 절반씩 흐르므로 193의 반 값을 대입하면 269를 얻을 수 있습니다.

제 채널의 재생목록에 가시면 chapter별로 분류되어 있습니다.

"t0-t1에도 t2-t3그래프를 그대로 옮겨다그려주면 되는거죠?" -> 아닙니다. t0~t1 사이의 graph는 C에 충전된 초기 전압값에 따라 달라지게 됩니다. 그래서 하나의 graph로 그릴 수 없기도 하고, 실질적으로는 순간적으로 휙 지나가는 시간대이므로 중요하지 않기 때문에 그리지 않고 제시된 겁니다. t1 이후의 graph는 C의 초기값과 무관하게 똑같이 나옵니다.

@@kang-bakpark6076 아하~ 감사합니다 !!

beta의 변화에 상관 없이 회로의 DC 값들이 내가 원하는 값을 유지할 수 있도록 하기 위함입니다. beta는 온도나 I_C(DC) 등에 의해 영향을 받습니다. 만일 beta가 변해서 Q-point(동작점)이 너무 크게 변하는 경우가 발생하면 문제가 발생합니다. Ch4_3 영상의 11:00 이후 부분이 도움이 되지 않을까 생각됩니다.

이미터 바이어스의 Ib의 유도과정은 Ch4_4 영상을 참고해주세요. 해당 영상의 두 번째 slide에 보면 나와있습니다(해당 영상의 4:25초 부근입니다). 여기 올린 영상들은 정주행하는 것을 가정하고 있습니다.